Herzogenrath, 16. Juli 2024 – AIXTRON (FSE: AIXA)
unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für
Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente.
Der Halbleiterkonzern hat sich für einen Folgeauftrag für AIXTRONs
G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine weitere Bestellung für
AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.
Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch
SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter
Feldeffekt- (FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET)
der nächsten Generation hergestellt. Sie kommen in
verschiedenen Energieumwandlungsanwendungen – etwa in
Rechenzentren, Solarwechselrichtern, Elektrofahrzeugen oder Zügen –
zum Einsatz.
Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der
Entwicklung von Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023
einen Umsatz von mehr als 2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat
im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET auf den Markt gebracht, gefolgt
im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia erweitert sein
Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und
energieeffiziente Bauelemente.
Der global erfolgreiche Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz
im niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und
im Großraum Manchester (England). Die
AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der Nexperia-Wafer Fab in
Hamburg installiert und stärken die
Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das
Unternehmen produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete
Halbleiter, was etwa einem Viertel der weltweiten Produktion dieser
Bauelement-Typen entspricht.
„Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler
Akteur in der Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden
hat. Mit unseren G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene
Wachstumsstrategie mit der Großserienproduktion von
Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle Anwendungen
umsetzen. Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang
der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor“,
sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON
SE.
„Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von
großer Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und
unsere Marktpräsenz im Bereich der
Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die Integration
der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und
Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich
verbessern. Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen
die zusätzlichen Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um
unsere Produktion effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den
neuen G10-Anlagen in unserer Hamburger Fab können wir unsere
Produktionskapazitäten weiter ausbauen", sagte Achim Kempe, COO
bei Nexperia B.V.
Ansprechpartner
Medien
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com
Investoren
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein
führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat
seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa.
Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem
breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken
Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen
auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen
Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien
eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und
GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle
High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R),
APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R),
CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM),
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA,
ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com
verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das
Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von
AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten",
"rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben",
"fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder
ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen.
Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen
Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements,
von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende
Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich
herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die
tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON
wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich
oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden
sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel
die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das
Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON,
die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder
Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der
Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung
der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen,
Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte,
eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch
alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und
Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts,
beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete
Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen
des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung
zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen
wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen
Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung
besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor,
bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des
Dokuments der englischen Übersetzung vor.
16.07.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung,
übermittelt durch EQS News - ein Service der EQS Group AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber
verantwortlich.
Die EQS Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten,
Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter https://eqs-news.com