AIXTRON gewinnt renommierten Deutschen Innovationspreis
Herzogenrath, 19. April 2024 – AIXTRON (FSE: AIXA) hat den
Deutschen Innovationspreis gewonnen.
Der renommierte Preis wird von der WirtschaftsWoche,
Accenture, EnBW und O₂ Telefónica unter Schirmherrschaft des
Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz verliehen.
Überreicht wurde der Preis an die Gewinner in den drei Kategorien
Großunternehmen, Mittelständische Unternehmen und Start-ups bei
einem Festakt am vergangenen Donnerstagabend in München. AIXTRON,
ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, setzte sich bei den Großunternehmen
durch.
Seit 2010 wird die Auszeichnung an Unternehmen verliehen, die
mit ihren Innovationen und Technologien die Wettbewerbsfähigkeit
Deutschlands gewährleisten und maßgeblich dazu beitragen, große
globalen Herausforderungen zu lösen.
Für AIXTRON nahm Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der
AIXTRON SE, die Auszeichnung in Empfang: „Es ist mir eine große
Ehre, diesen wichtigen Preis für AIXTRON und damit stellvertretend
für unser gesamtes Teams entgegenzunehmen. Der Deutsche
Innovationspreis ist nicht nur eine Anerkennung für die
Innovationen, die wir geschaffen haben, sondern auch ein Zeugnis
für die erstklassige Arbeit und das Engagement unseres Teams. Mit
unserer neuen G10-Produktfamilie setzen wir in der
Halbleiterindustrie neue Maßstäbe bei Produktivität und Leistung.
Damit tragen wir dazu bei, CO2-Emissionen zu reduzieren
und – indem wir einen schnelleren, umfassenderen Datenaustausch
zwischen den Menschen ermöglichen – legen wir den Grundstein für
die digitale Gesellschaft der Zukunft.”
Das Hightech-Unternehmen AIXTRON aus Herzogenrath (Deutschland)
ist Weltmarktführer für Halbleiter-Depositionstechnologie auf Basis
von MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Die von
AIXTRON hergestellten Produktionsanlagen werden zur Produktion von
Verbindungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC),
Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs) eingesetzt. Mit der
neuen G10-Produktfamilie, die seit 2022 auf dem Markt ist, hat
AIXTRON entscheidend dazu beigetragen, Verbindungshalbleiter auf
breiter Basis kommerziell verfügbar zu machen. In der Vergangenheit
wurden Verbindungshalbleiter nur in Spezialanwendungen der
Optoelektronik eingesetzt, zum Beispiel für die Datenübertragung
mittels Laser und in LEDs für die klassische Beleuchtung.
Durch Verbesserungen bei der Produktivität und den Kosten ist
der Einsatz von Verbindungshalbleitern nun für eine Vielzahl von
Anwendungen kommerziell nutzbar. Das trägt zur Dekarbonisierung und
Digitalisierung der Wirtschaft bei: Verbindungshalbleiter auf
SiC-Basis sorgen für eine größere Reichweite in Elektrofahrzeugen,
GaN-basierte Halbleiter senken den Stromverbrauch und die
CO2-Emissionen in Rechenzentren, und GaAs-basierte
Bauelemente bilden das Rückgrat der modernen Datenkommunikation:
Sie bewältigen nicht nur die enorm wachsenden Datenmengen aus
vernetzten Geräten aus dem sognannten „Internet der Dinge“, sondern
demnächst auch innerhalb der modernsten KI-Chips.
„Diese Auszeichnung ist ein Beleg für die hervorragenden
Ergebnisse, die AIXTRON in enger Zusammenarbeit mit seinen Kunden
erzielt hat – nicht nur in Bezug auf die Leistung, sondern auch
hinsichtlich der Produktivität und der Kosten. Das hat seinen Weg
in eine Vielzahl an neuen Anwendungen gefunden. Die Grundlage
hierfür ist die hervorragende Arbeit unserer Kolleginnen und
Kollegen bei AIXTRON weltweit – von der Simulation, dem Labor, der
Entwicklung neuer Systemkomponenten bis hin zu Vertrieb und
Kundendienst. Die G10-Produktfamilie ist ein perfektes Beispiel
dafür, wie wir bei AIXTRON die Grenzen dessen, was mit neuen
Technologien möglich ist, immer weiter verschieben", sagte Prof.
Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies, AIXTRON
SE, der den Preis mit AIXTRON-CEO Grawert entgegengenommen
hat.
Ansprechpartner
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein
führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat
seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa.
Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem
breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken
Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen
auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen
Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien
eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und
GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle
High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R),
APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R),
CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM),
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA,
ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com
verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das
Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von
AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten",
"rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben",
"fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder
ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen.
Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen
Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements,
von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende
Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich
herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die
tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON
wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich
oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden
sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel
die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das
Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON,
die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder
Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der
Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung
der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen,
Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte,
eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch
alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und
Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts,
beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete
Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen
des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung
zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen
wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen
Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung
besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor,
bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des
Dokuments der englischen Übersetzung vor.
19.04.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung,
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